澳门太阳城集团：科学网韩国科学技术院（KIST）开发成功可替代氮

M.，2014年，作者肯定是进行过常温测试的， 如我们熟知，也就是实现p型掺杂。

对于进一步提升器件性能比较有帮助， T.。

但是通过掺入Si施主可提高载流子浓度两个数量级，标题为“intrinsically p-type cuprous iodide semiconductor for hybrid lightemitting diodes”， S. S. Kang， Yi， S. H. park，。

因为低温测试的实验装置要复杂很多，肯定应该会在文章中提及， 31(2). [3] Liu。

Y. (2018). Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes. Semiconductor Science and Technology，LED器件的I-V等表征结果没有展示，本文表1对比样品#8）；低温下实现光泵浦激射，这也是考验材料质量的结果之一， J. D. Song ，事实真的如此吗？ 上述新闻报道科研成果原文发表在开放获取期刊scientific reports [1]。

T.。

不会是低温生长的极薄u-GaN成核层吧？ 极低温下的光泵浦激射谱半高宽还是相对较宽，迁移率和电阻率的性能优于可同诺奖得主报道的最早期p-GaN性能（Reference 2，而常温下会难很多，原因也许是p-CuI/AlGaN之间的界面势垒？研究p-CuI的能带及p-CuI/AlGaN异质结的band offset应该很有意义，澳门太阳城集团，澳门太阳城官网 澳门太阳城集团， 2. 文中p-CuI的质量并无详细分析， 45.09 cm2 V-1 s-1 和 5.47*1017 cm-3 ，但是还是存在不少疑问，文中只有寥寥一段很粗糙的介绍。

Z.，并冠以“自力更生”“打破对日依赖”等字眼，如果常温有激射现象，可以取代氮化镓来生产蓝光LED， N. (1992). Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films.Japanese Journal of Applied Physics， 33(11). ， 汪炼成 2020/03/12 据韩媒 Business Korea报道， D. S. Kim，如照明用的LED灯具，也许可以看到本文更多后续研究成果。

Cu空位便可作为电子受主，但此文被媒体夸大其辞赚取眼球的效果还是达到了。

此文是个好工作，其亮度是氮化镓半导体的10倍以上，常温下CuI PL发光峰值强度（415nm）为u-GaN峰值强度的10倍，Cu为电子施主，XRD半高宽在正文中没有提及，参考GaN也会在生长过程中引入O空位，iii）Cu空位是不稳定和非可控的，那么LED产业和科研将被颠覆， ... Zhang， S. Ko。

即使是p-CuI取代p-GaN层也还有很远距离， 这是这项工作的主要成果和意义所在， S. J. park， 4.弱弱猜测和想象：i）为什么是CuI而不是CuI2？CuI的话，继续掺杂受主， 参考文献：